田口研究室
量子効果デバイス研究室へようこそ！
当研究室は2015年4月に中京大学工学部電気電子工学科第１期生が3年次昇格に伴い実質的にスタートしました。2019年4月時点では教員1名、学部4年生5名、学部3年生6名の12名で活動をしています。これから何人増えて何人減ることやら
当研究室主催者は化合物半導体の研究に従事し今年で15年目を迎えます。15年間にわたり、パッシブデバイスからディテクタ、HBTからPHEMTの微細化、化合物半導体中の量子状態の理論的解釈と、化合物半導体に関係する様々な研究に従事してきました。特に本学（工学部の前身、情報理工学部時代の研究室）着任時より量子効果デバイスの低温特性の研究をスタートさせました。当初はInGaAs型PHEMTの温度変化による高周波特性変動に着目し、幾つかの成果を上げています。InGaAs系では温度変化による量子状態の理論解明を今後の目標とします。低温実験を今後はGaN系HEMTに移し、ワイドギャップ系での高周波利得変動を追求する予定です。
当研究室ではトライアル的にいくつかの研究テーマ立ち上げを行っております。化合物半導体の枠から抜けて、より個体物性を深く理解するために、スケールモデルによる個体内部でのキャリア輸送モデルの構築や、個体材料の最表面での物理現象明確化を考えています。
INFORMATION
- 2015-05-18
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ホームページ作成開始
- 2016-8-30
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第2回ゼミ旅行
- 2016-9-9
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国内学会、マイクロエレクトロニクスシンポジウムで貝沼雄太が発表
- 2016-9-19
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海外学会、EMRSで貝沼雄太が発表
- 2017-8-29,30
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国内学会、マイクロエレクトロニクスシンポジウムで研究成果を発表
- 2017-9-04
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第3回箱根ゼミ旅行
- 2017-12-01,02
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国内学会、東京理科大にて研究成果を発表
- 2019-4-04
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新三年生スタート＆田口先生教授に昇進